半导体所科研人员参加第24届国际高电压工程研讨会

8月24日至29日，第24届国际高电压工程研讨会（ISH 2025）在日本轻井泽（Karuizawa）成功举办。此次会议由东京大学承办，于长野县轻井泽王子大饭店（Karuizawa Prince Hotel West）召开，吸引了来自世界各地的高电压与绝缘领域专家学者、工程技术人员及多家产业界单位参会与参展。

半导体所参加会议并作《交、直流、方波电压下6.5kV高压碳化硅器件封装绝缘特性》口头报告。报告围绕高压碳化硅器件在不同电压形式作用下的封装绝缘行为与可靠性进行了系统性展示，从封装结构设计、材料选型到试验验证与性能提升措施等方面深入剖析了当前行业面临的技术瓶颈，并提出了若干创新性解决思路与工程实现路径。报告获得会场同行的广泛关注与积极讨论，相关问题交流热烈，反响良好。

ISH 2025聚焦高电压绝缘领域的前沿技术与工程化应用，有多家企业与研究机构在会场展示最新技术与产品，这为学术成果与产业需求的对接提供了重要平台。通过本次参会，半导体所与海外多家厂商、科研院校及企业专家建立紧密联系，为后续的产学研用合作奠定了坚实基础。基于会议中收获的同行反馈与合作意向，半导体所将推进相关技术方案的优化与联合试验，积极探索与产业界的合作示范路径，力争将会议中的创新方法尽快转化为可工程化的封装解决方案，为高压碳化硅器件的可靠应用贡献科研与工程力量。