半导体所参加第22届国际碳化硅及相关材料会议

9月14日至18日，第22届国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM 2025）在韩国釜山会展中心（BEXCO）成功举行。本次会议由韩国电工与电子材料工程师协会（KIEEME）承办，汇聚了全球碳化硅及其他宽禁带半导体领域的知名学者、工程技术专家及产业界代表，共同探讨碳化硅技术的前沿进展与发展趋势。

半导体所在会议上作了题为《4H-SiC外延中表面浅坑缺陷的缓冲层结构控制》的口头报告，及《基于生长与掺杂动力学的高质量N型4H-SiC外延层制备》和《动态反偏应力对SiC MOSFET耐压可靠性的影响》两篇墙报。系统展示了半导体所在高质量碳化硅外延缓冲层结构设计、外延掺杂行为动力学以及动态反偏应力对器件可靠性影响等方面的创新研究成果，并提出具有可行性的创新解决思路与工程实现路径，引发了与会专家的广泛关注和热烈讨论。

本届ICSCRM 会议主题为“以碳化硅技术驱动产业创新与融合”（Industrial Innovation and Convergence through SiC Technology），内容覆盖衬底、外延、器件、封装、系统和可靠性等多个环节，全面呈现了碳化硅全技术链的最新发展动态。通过本次参会，半导体所与多家国际知名高校、研究机构及行业领先企业建立了深入联系，为后续的产学研用合作奠定了坚实基础。同时，半导体所将积极推动会议中所汲取的技术思路与创新方法向工程实践转化，致力于在高性能高压碳化硅器件研发中贡献更多科研与工程力量。